上海交大研究生院主页平台管理系统何卫锋--中文主页-- A 0.33 V 2.5 mu W cross-point data-aware write structure, read-half-select disturb-free sub-threshold SRAM in 130 nm CMOS

何卫锋

教授

所在单位：电子信息与电气工程学院

职称：教授

电子邮箱：hewf@sjtu.edu.cn

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A 0.33 V 2.5 mu W cross-point data-aware write structure, read-half-select disturb-free sub-threshold SRAM in 130 nm CMOS

发布时间：2020-06-12

发表刊物：INTEGRATION, THE VLSI JOURNAL

ISSN号：0167-9260

是否译文：否

发表时间：2017-06-01

论文类型：期刊论文

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