Metallic-CN-Removal-Tolerant High-Yield Six-CN-MOSFET SRAM Cell for Carbon-Based Embedded Memory
发布时间：2020-06-12
发表刊物：IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES
ISSN号：0018-9383
是否译文：否
发表时间：2018-03-01
论文类型：期刊论文