上海交大研究生院主页平台管理系统毛志刚--中文主页-- Metallic-CN-Removal-Tolerant High-Yield Six-CN-MOSFET SRAM Cell for Carbon-Based Embedded Memory

毛志刚

教授

所在单位：电子信息与电气工程学院

职称：教授

电子邮箱：maozhigang@sjtu.edu.cn

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Metallic-CN-Removal-Tolerant High-Yield Six-CN-MOSFET SRAM Cell for Carbon-Based Embedded Memory

发布时间：2021-06-21

发表刊物：IEEE Transactions on Electron Devices

ISSN号：0018-9383

是否译文：否

发表时间：2018-03-01

论文类型：期刊论文

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