上海交大研究生院主页平台管理系统疏达--中文主页-- Diffusion mechanisms of vacancy and doped Si in Al3Ti from first-principles calculations

疏达

研究员

所在单位：材料科学与工程学院

职称：研究员

电子邮箱：dshu@sjtu.edu.cn

教师主页二维码

手机版

常用链接

论文成果

中文主页 - 科学研究 - 论文成果

Diffusion mechanisms of vacancy and doped Si in Al3Ti from first-principles calculations

发布时间：2020-06-09

发表刊物：INTERMETALLICS

ISSN号：0966-9795

是否译文：否

发表时间：2011-07-01

论文类型：期刊论文

上一条：Diffusion mechanisms of vacancy and doped Si in Al3Ti from first-principles calculations

下一条：Removal of Iron Impurity from Aluminum by Electroslag Refining

沪ICP备05052060 版权所有©上海交通大学

访问人数： | 开通时间：--

最近更新时间：--