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Towards the Characterization of Full ID-VGDegradation in Transistors for Future Analog Applications

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发表刊物：IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings

是否译文：否

发表时间：2022-03-01

论文类型：会议论文

第一作者：任鹏鹏

上一条：: Defect-Based Empirical Model for On-State Degradation in Sub-20-nm DRAM Periphery pFETs Under Arbitrary Condition

下一条：: Realization of NOR logic using Cu/ZnO/Pt CBRAM