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Defect-Based Empirical Model for On-State Degradation in Sub-20-nm DRAM Periphery pFETs Under Arbitrary Condition

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发表刊物：Ieee Transactions on Electron Devices

ISSN号：0018-9383

是否译文：否

发表时间：2022-12-01

论文类型：期刊论文

通讯作者：任鹏鹏

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