上海交大研究生院主页平台管理系统杨卓青--中文主页-- Shock-Resistibility of MEMS-Based Inertial Microswitch under Reverse Directional Ultra-High g Acceleration for IoT Applications

杨卓青

研究员

所在单位：电子信息与电气工程学院

学科：

职称：研究员

电子邮箱：yzhuoqing@sjtu.edu.cn

教师主页二维码

手机版

常用链接

论文成果

中文主页 - 科学研究 - 论文成果

Shock-Resistibility of MEMS-Based Inertial Microswitch under Reverse Directional Ultra-High g Acceleration for IoT Applications

发布时间：2020-06-13

发表刊物：SCIENTIFIC REPORTS

ISSN号：2045-2322

是否译文：否

发表时间：2017-03-01

论文类型：期刊论文

上一条：Design and Optimization of a Stationary Electrode in a Vertically-Driven MEMS Inertial Switch for Extending Contact Duration

下一条：SHOCK-RESISTIBILITY OF INERTIAL MICROSWITCH UNDER REVERSE SENSITIVE DIRECTIONAL ULTRA-HIGH G ACCELERATION

沪ICP备05052060 版权所有©上海交通大学

访问人数： | 开通时间：--

最近更新时间：--